三星电子拟 2027 年初完成 3D Cube-H 开发

据 Woofun AI 消息，计划于 2027 年初完成先进封装技术 3D Cube-H 的开发，并推出首个设计套件，随后与潜在客户启动评估。该技术基于混合键合实现芯片垂直堆叠，主要面向高性能 AI 半导体，可用于堆叠 GPU 等逻辑芯片，或在 HBM 等存储芯片上集成逻辑芯片。三星电子此前已开发采用热压键合技术的 3D Cube-T，目前正推进端子间距约 6 微米的 3D Cube-H，热压键合芯片的最小端子间距约为 25 微米。混合键合通过直接连接芯片间的铜材料，可缩小端子间距、提高连接密度，并降低每比特能耗，其散热特性也有别于热压键合方案。