花旗预测存储供需缺口将延续至 2031 年

AI 持续学习驱动 HBM 与 DRAM 需求激增，供需缺口或持续至 2031 年，利好头部存储厂商。

据 Woofun AI 消息，花旗分析师指出，人工智能领域的结构性转变将使存储芯片市场供不应求的局面延续至 2031 年。随着 AI 模型通过持续学习强化对新任务与既往数据的访问需求，HBM、服务器 DDR5 及 eSSD 等产品的用量显著增加。

数据显示，HBM 比特需求预计 2027 年同比增长 62% 至 752 亿吉比特，2028 年再增 69% 至 1270 亿吉比特。全球 DRAM 需求在 2027 年和 2028 年分别同比增长 30% 和 35%，而供应仅增长 19% 和 22%，导致供需比分别为 -8.7% 和 -9.7%。NAND 需求同期分别增长 29% 和 33%，超过供应增速，供需比分别为 -6.1% 和 -5.5%。花旗推荐三星电子、SK 海力士、美光、Sandisk 和 Kioxia 等标的，认为其将受益于存储短缺及高密度产品供应趋紧。