高盛重申 SK 海力士买入：HBM 涨价与 LTA 锁定需求

据 Woofun AI 消息，于 2026 年 9 月 22 日重申 买入评级，设定 12 个月目标价为 3,500,000 韩元，较当前 1,868,000 韩元的股价隐含 87.4% 的上行空间。

这一判断源于高盛与 SK 海力士管理层线上会议后的深度评估，核心逻辑在于高带宽内存（HBM）与动态随机存取存储器（DRAM）的供应紧张态势将持续，推动 SK 海力士在 2027 年实现定价与利润率的双重攀升，而长期协议（LTA）则进一步锁定了需求能见度。高盛分析师 在报告中提炼出五大关键要点：对近期及明年 HBM 定价增长持积极态度；技术迁移聚焦于现有产能而非新建洁净室；重申对 LTA 商业模式的看好；提示汇率波动可能带来短期盈利扰动；以及计划进一步更新股东回报方案。

值得注意的是，高盛认为当前估值尚未充分反映 HBM 定价上行的持续性，这构成了其看好该标的的核心依据。

Woofun AI 整理数据显示，SK 海力士预计 2026 年剩余时间的季度环比定价增长将持续，主要受供应紧张、高端 HBM 组合占比增加以及 2Q 定价低基数的共同驱动，尽管增长步伐可能逐步放缓。在 HBM 领域，随着 HBM4 收入占比提升，下半年 HBM 的平均售价（ASP）和利润率预计将高于上半年。展望 2027 年，传统 DRAM 和 HBM 市场仍将面临供应紧张，高端产品组合的优化将进一步推高 HBM ASP。产能方面，SK 海力士现有晶圆厂已接近满产，M15X 工厂的主要产能被优先用于 HBM 生产。

龙仁工厂计划于 2027 年 2 月开工，但其产出可能要等到 2027 年底才能释放。在 NAND 领域，公司计划利用 M17 工厂和 工厂的部分空间。技术迁移成为提升位元产出的关键路径，国内 DRAM 生产将从 1a 纳米节点转向 1c 纳米节点，NAND 则从 176 层转向 321 层，预计年底前实现位元交叉。由于洁净室空间有限，新增晶圆产能空间不大，HBM 产能优先策略导致传统 DRAM 供应增长受限，这一结构性约束有力支撑了存储价格维持高位。

高盛对 SK 海力士的盈利预测显示，2026 年每股收益（EPS）预计为 399,504 韩元，2027 年升至 491,918 韩元，2028 年进一步增长至 560,997 韩元。对应市盈率分别为 4.7 倍、3.8 倍和 3.3 倍，目标价基于 9 倍 2026 到 2027 年平均市盈率计算。在商业模式层面，LTA 的普及正将存储行业从现货价格波动转向更可预测的合同收入。SK 海力士虽无具体的 LTA 覆盖目标，但鉴于服务器内存（含 HBM）占 DRAM 收入约 60%，公司认为 LTA 覆盖至少 50% 并非不可能。LTA 不仅提供需求能见度，还实现了与客户风险共担、生产与需求匹配以及资本支出效率提升。高盛重申对 LTA 的积极看法，认为其覆盖比例的提升有利于 SK 海力士规划产能和投资，降低盈利波动。

此外，汇率因素也不容忽视，SK 海力士近 100% 的收入以美元计价，而不到 50% 的运营费用以外币计价。当美元走弱时，收入换算成韩元减少，而费用端受汇率影响较小，可能导致利润率承压。高盛指出，汇率影响仅是短期扰动，不改变 HBM 定价上行和 LTA 覆盖提升的中期逻辑，投资者应关注其对季度盈利的扰动，而非将其视为趋势性变化。