SK海力士與SanDisk發佈首個HBF存儲標準

雙方通過OCP發佈HBF規範，帶寬達3.0TB/s，旨在解決AI推理內存牆問題，谷歌等已加入聯盟。

據 Woofun AI 消息，SK 海力士與 SanDisk 通過開放計算項目（OCP）發佈了首個高帶寬閃存（HBF）標準規範，並在 2026 年 FMS 展會上展示了相關 AI 內存解決方案。HBF 被定位爲介於 HBM 與 SSD 之間的新型存儲層，旨在結合 NAND 技術的大容量優勢與接近 HBM 的高速數據傳輸能力，以緩解 AI 推理需求增長帶來的內存瓶頸。該標準首版最高容量爲 512GB，基於 8 層及 16 層 NAND 芯片堆疊，帶寬範圍在 0.4TB/s 至 3.0TB/s 之間，並採用 UCIe 互連技術以實現與 GPU 和 CPU 的靈活集成。此次發佈正值內存股票市場波動劇烈期，7 月份 AI 相關存儲產品交易熱度大幅下降，SanDisk 和美光科技股價當月分別下跌約 47% 和 29%，Roundhill Memory ETF 跌幅約 32%。

不過 8 月後芯片類股票走勢回升，PHLX 半導體指數週一上漲超 1%，英偉達股價漲幅近 3%，美光和 SanDisk 股價也出現反彈。市場一方面擔憂此前過高估值，另一方面仍在尋找 AI 基礎設施需求未降溫的證據。HBF 標準預示着 AI 基礎設施發展的下一階段：算力集羣競爭將不再僅限於 GPU 數量，內存帶寬、容量、功耗及數據傳輸效率也將成爲影響系統性能的瓶頸。SK 海力士與 SanDisk 選擇通過 OCP 公開標準，旨在推動 HBF 成爲開放式生態系統。谷歌和 Tenstorrent 已加入 HBF 聯盟，SK 海力士還將在 FMS 展會上與谷歌 DeepMind 及 SanDisk 探討如何利用 HBF 突破內存瓶頸。

此外，SK 海力士首次公開展示了第 10 代 375 層 4D NAND 晶圓及相關產品，稱其每瓦特性能較上一代提升 2.5 倍，並計劃於明年初開始批量生產基於該技術的高性能、大容量 eSSD。